Kelompok memori yang diberi nama Random Access
Memory ini memiliki karakteristik yang sesuai dengan namanya. Dalam pengaksesan
data yang tersempan di dalam memori dilakukan dengan cara acak (Random) bukan
dengan cara terurut (sequential) seperti pada streamer. Hal ini berarti untuk
mengakses elemen memori yang terletak dimana pun di dalam modul ini, akan
diakses dalam waktu yang sama.
Berdasarkan
bahan dasar pembuatan, RAM dikelompokkan dalam dua bagian utama, yaitu (a)
Static RAM, dan (b) Dynamic RAM. Berikut ini penjelasannya.
a. Static RAM
Secara internal, setiap sel yang menyimpan n bit
data memiliki 4n buah transistor yang menyusun beberapa buah rangkaian
Flip-Flop. Dengan karakteristik rangkaian Flip-Flop ini, data yang disimpan
hanyalah berupa Hidup (High state) atau Mati (Low state) yang ditentukan oleh
keadaan suatu transistor. Kecepatannya dibandingkan dengan Dynamic RAM tentu
saja lebih tinggi karena tidak diperlukan sinyal refresh untuk mempertahankan
isi memory.
b. Dynamic RAM
Secara
internal, setiap sel yang menyimpan 1 bit data memiliki 1 buah Transistor dan 1
buah Kondensator. Kondensator ini yang menjaga tegangan agar tetap mengaliri
transistor sehingga tetap dapat menyimpan data. Oleh karena penjagaan arus itu
harus dilakukan setiap beberapa saat (yang disebut refreshing) maka proses ini memakan waktu yang lebih banyak
daripada kinerja Static RAM.
Seperti
yang telah dikemukakan sebelumnya, modul memori berkembang beriring-iringan
dengan perkembangan processor. Jenis DRAM ini juga mengalami perkembangan.
Perkembangan Jenis DRAM
·
Synchronous
DRAM (SDRAM) adalah
salah satu contohnya. Dalam SDRAM ini (yang biasanya dikenal sebagai SIMM
SDRAM) hanyalah memperbaiki kecepatan akses data yang tersimpan. Dengan proses
sinkronisasi kecepatan modul ini dengan Frekuensi Sistem Bus pada prosesor
diharapkan dapat meningkatkan kinerjanya. Modul EDO RAM dapat bawa ke kecepatan
tertingginya di FSB maksimum 75MHz, sedangkan SDRAM dapat dibawa ke kecepatan
100MHz pada sistem yang sama. SDRAM ini juga dikembangkan lebih jauh.
o PC100
RAM
SDRAM yang dikembangkan untuk sistem bus 100MHz
o PC133
RAM
SDRAM yang dikembangkan untuk sistem bus 133MHz
o ECC
RAM (Error Checking and Correction RAM)
SDRAM yang dikembangkan untuk kebutuhan server
yang memiliki kinerja yang berat. Jenis SDRAM ini dapat mencari kerusakan data
pada sel memori yang bersangkutan dan langsung dapat memperbaikinya. Akan
tetapi, batasan dari SDRAM jenis ini adalah, sel data yang dapat diperbaiki
hanya satu buah sel saja dalam satu waktu pemrosesan data.
·
Burst
EDO RAM (BEDO RAM) adalah jenis EDO yang memiliki
kemampuan Bursting. Kinerja yang telah digenjot bisa 100% lebih tinggi dari
FPM, 33% dari EDO RAM. Semula
dikembangkan untuk menggantikan SDRAM, tetapi karena prosesnya yang asinkron,
dan hanya terbatas sampai 66MHz, praktis BEDO RAM ditinggalkan.
·
Rambus
DRAM (RDRAM) dikembangkan oleh RAMBUS, Inc., Pengembangan
ini menjadi polemik karena IntelÒ
berusaha memperkenalkan PC133MHz. RDRAM ini memiliki jalur data yang sempit (8
bit) tapi kinerjanya tidak dapat diungguli oleh DRAM jenis lain yang jalur
datanya lebih lebar dari RDRAM yaitu 16 bit atau bahkan 32 bit. Hal ini karena
RDRAM ini memiliki Memory Controller yang dipercanggih. Tentunya hanya
motherboard yang mendukung RAMBUS saja yang bisa memakai DRAM ini, seperti
MotherBoard untuk AMD K7 Athlon. Akan tetapi, RAM jenis ini dipakai oleh 3dfx,
Inc., untuk mempercepat proses penggambaran objek 3 dimensi yang penuh oleh
poligon. Contoh produk yang memakainya adalah 3dfx seri Voodoo4.
·
SyncLink
DRAM (SLDRAM) dibuat karena untuk memakai RDRAM ini harus
membayar royalti kepada RAMBUS Inc., Hal ini dirasakan sangat mahal bagi
pengembang motherboard. Dengan Kecepatan 200MHz, dan bandwith maksimum
1600MB/sec cukup untuk mengkanvaskan perkembangan RAMBUS DRAM.
·
Double
Data Rate RAM (DDRAM) dikembangkan karena kebutuhan
transmisi data sangat tinggi. Teknologi ini dikembangkan berdasarkan transmisi
data ke dan dari terminal lain melalui sinyal tact.
·
Serial
Presence Detect (PSD) adalah perkembangan dari DIMM
yang menyertakan sebuah chip EPROM yang dapat menyimpan informasi tentang modul
ini. Chip kecil yang memiliki 8 pin ini bertindak sebagai SPD yang sedemikian
rupa sehingga BIOS dapat membaca seluruh informasi yang tersimpan didalamnya
dan dapat menyetarakan FSB dengan waktu kerja untuk performa CPU-RAM yang
sempurna.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar
Catatan: Hanya anggota dari blog ini yang dapat mengirim komentar.